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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利用于微电子装置的工业芯片级封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111373530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880075335.6，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权用于微电子装置的工业芯片级封装是由S·K·科杜里设计研发完成，并于2018-10-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于微电子装置的工业芯片级封装在说明书摘要公布了：一种微电子装置100包含具有输入输出IO端子104的管芯102和所述管芯102上的介电层106。所述微电子装置100包含导电支柱110，所述导电支柱电耦接到所述IO端子104并且延伸穿过所述介电层106到达所述微电子装置100的外部。每个支柱110包含柱状物112和头部114，所述柱状物电耦接到所述IO端子104之一，所述头部在所述柱状物112的与所述IO端子104相对的一端处接触所述柱状物112。所述头部114在至少一个侧向方向上侧向地延伸超过所述柱状物112。

本发明授权用于微电子装置的工业芯片级封装在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括： 获得其上布置有输入输出IO端子的管芯； 在所述管芯上形成介电层；以及 在所述管芯外部形成支柱，所述支柱从所述管芯的所述IO端子延伸穿过所述介电层到达所述微电子装置的外部，其中所述支柱的部分将所述支柱连接到电路衬底，所述部分位于所述微电子装置的外部，其中所述支柱是通过电镀形成，且形成所述支柱包含： 形成所述支柱的柱状物；以及 形成头部，所述头部在所述柱状物的与所述IO端子相对的一端处电耦接到所述柱状物，使得所述头部在至少一个侧向方向上侧向地延伸超过所述柱状物，并且使得所述介电层从所述管芯延伸到所述头部； 其中： 形成所述介电层包含在所述管芯上形成柱状物沟槽子层，所述柱状物沟槽子层具有暴露所述IO端子的柱状物沟槽；并且 形成所述柱状物包含： 在所述柱状物沟槽子层上形成柱状物衬里，所述柱状物衬里延伸到所述柱状物沟槽中并接触所述IO端子； 在所述柱状物衬里上形成柱状物层，使得所述柱状物层填充所述柱状物沟槽并在所述柱状物沟槽子层之上邻近所述柱状物沟槽延伸；以及 从所述柱状物沟槽子层之上邻近所述柱状物沟槽去除所述柱状物层和所述柱状物衬里。

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