三星电子株式会社黄允载获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装的设计方法和半导体封装设计系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111797586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010256207.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权半导体封装的设计方法和半导体封装设计系统是由黄允载;文盛煜设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装的设计方法和半导体封装设计系统在说明书摘要公布了：一种包括第一芯片、第二芯片、2.5维2.5D中介层、封装基板和板的半导体封装的设计方法包括：基于设计信息，生成布局，该布局包括封装基板上的2.5D中介层和分别布置在2.5D中介层上的第一芯片和第二芯片；根据布局分析第一芯片与第二芯片之间的信号完整性和电源完整性；根据布局分析第一芯片与板上的至少一个第三芯片之间的信号完整性或电源完整性；并且基于分析结果，确定是否修改布局。
本发明授权半导体封装的设计方法和半导体封装设计系统在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装包括第一芯片、第二芯片、2.5维2.5D中介层、封装基板和板，所述方法包括： 基于设计信息，生成布局，所述布局包括所述封装基板上的所述2.5D中介层和分别布置在所述2.5D中介层上的所述第一芯片和所述第二芯片； 根据所述布局分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的信号完整性和电源完整性中的至少一种； 根据所述布局分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的信号完整性或电源完整性； 基于分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性中的至少一种以及分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的分析结果，确定是否修改所述布局；并且 当确定不修改所述布局时，形成包括所述第一芯片、所述第二芯片、所述2.5D中介层、所述封装基板和所述板的所述半导体封装， 其中所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性的分析还包括： 提取所述2.5D中介层的配置的第一电特性；并且 通过使用所提取的第一电特性来生成所述信号完整性和所述电源完整性。
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