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龙图腾网获悉安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置以及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011070747.6，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权半导体装置以及制造半导体装置的方法是由李琼延;李泰勇;新督尚;李聖爱;郑禹斌;柳智妍;金进勇设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包含基板介电结构和基板传导结构，基板传导结构穿越基板介电结构并且包含第一基板端子和第二基板端子；电子构件，具有耦接到第一基板端子的构件端子；以及第一天线组件，具有耦接到第二基板端子的第一组件端子、相邻于第一天线图案的第一组件头侧、相对于第一组件侧的第一组件基底侧以及第一组件侧壁。第一组件端子可以在第一组件基底侧处或在第一组件侧壁处从第一组件介电结构暴露。第一天线图案可以经由第一组件端子而耦接到基板。基板传导结构可耦接第一天线组件到电子构件。

本发明授权半导体装置以及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 基板，包括： 基板顶部侧； 基板底部侧； 基板介电结构，所述基板介电结构在所述基板顶部侧和所述基板底部侧之间；以及 基板传导结构，所述基板传导结构穿越所述基板介电结构并且包括： 第一基板端子； 第二基板端子，所述第二基板端子在所述基板顶部侧处；以及 第三基板端子； 电子构件，所述电子构件耦接到所述基板并且包括： 耦接到所述第一基板端子的构件端子； 以及 第一天线组件，所述第一天线组件耦接到所述基板并且包括： 第一组件介电结构； 第一天线图案，所述第一天线图案耦接到所述第一组件介电结构； 第一组件端子，所述第一组件端子从所述第一组件介电结构暴露； 第一组件头侧，所述第一组件头侧相邻于所述第一天线图案； 第一组件基底侧，所述第一组件基底侧相对于所述第一组件头侧；以及 第一组件侧壁，所述第一组件侧壁在所述第一组件头侧和所述第一组件基底侧之间； 第二天线组件，所述第二天线组件耦接到所述基板并且包括： 第二组件介电结构； 第二天线图案，所述第二天线图案耦接到所述第二组件介电结构； 第二组件端子，所述第二组件端子从所述第二组件介电结构暴露； 第二组件头侧，所述第二组件头侧相邻于所述第二天线图案； 第二组件基底侧，所述第二组件基底侧相对于所述第二组件头侧；以及 第二组件侧壁，所述第二组件侧壁在所述第二组件头侧和所述第二组件基底侧之间； 其中： 所述第一组件端子的底侧在所述第一组件基底侧处从所述第一组件介电结构暴露以及所述第一组件端子的横向侧在所述第一组件侧壁处从所述第一组件介电结构暴露，并且所述第一组件端子的所述底侧耦接至所述第二基板端子； 所述第一天线图案经由所述第一组件端子而被耦接到所述基板； 所述第一天线组件耦接到在所述电子构件的覆盖区之外的所述基板； 所述基板传导结构耦接所述第一天线组件到所述电子构件； 所述第二组件端子的底侧在所述第二组件基底侧处从所述第二组件介电结构暴露以及所述第二组件端子的横向侧在所述第二组件侧壁处从所述第二组件介电结构暴露，并且所述第二组件端子的所述横向侧耦接至所述第三基板端子； 所述第二天线图案经由所述第二组件端子而被耦接到所述基板； 所述第二天线组件耦接到在所述电子构件的覆盖区之外的所述基板；并且 所述基板导电结构耦接所述第二天线组件到所述电子构件。

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