意法半导体股份有限公司F·V·丰塔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113223972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110118627.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法是由F·V·丰塔纳设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例公开了制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法。一种半导体产品，包括嵌入具有前表面的半导体管芯的半导体管芯封装模塑材料的层和围绕半导体管芯的诸如球体或球的导电体的阵列。导电体具有围绕半导体管芯的前表面的前端部分和从半导体管芯封装模塑材料的层突出的后端部分。在未被封装模塑材料覆盖的半导体管芯的前表面和导电体的前端部分之间设置导电构造。可在导电结构处设置透光密封材料，以便于经由通过透光密封材料的视觉检查来检查导电结构。
本发明授权制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体产品的方法，包括： 在基板的表面上提供粘合层； 将半导体管芯放置在所述粘合层上，其中所述半导体管芯的前表面背对所述基板； 在所述半导体管芯周围的位置处将导电体的阵列放置到所述粘合层上，所述导电体具有突出到所述粘合层中的后端部分； 将材料模塑到所述半导体管芯和导电体的所述阵列上，使得所述半导体管芯和所述导电体被嵌入封装件中，其中所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的前端部分在所述封装件的前表面处未被覆盖；以及 在所述封装件的所述前表面处未被覆盖的所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的所述前端部分之间形成导电结构，所述导电结构在所述封装件的所述前表面上延伸， 其中形成所述导电结构包括： 在所述封装件的所述前表面上印刷导电材料，以提供导电印刷结构；以及 将导电材料电镀到所述导电印刷结构上， 其中所述方法还包括： 将包括所述半导体管芯和所述导电体的所述封装件与所述粘合层和所述基板分离，其中所述导电体的所述后端部分从所述封装件的后表面突出；以及 在电镀导电材料之前，将所述导电体的所述后端部分电短路。
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