台湾积体电路制造股份有限公司简钰人获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110432436.8，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由简钰人;吴荣堂;吴思桦;李锦思;吴孟谕设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，该衬底限定逻辑区域和存储器区域；在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积磁隧道结MTJ层；在MTJ层上方沉积第一导电层；在第一导电层上方沉积牺牲层；蚀刻存储器区域中的牺牲层，以暴露存储器区域中的第一导电层，同时保持逻辑区域中的第一导电层被覆盖；在存储器区域和逻辑区域中沉积第二导电层；图案化第二导电层以暴露存储器区域中的MTJ层；以及蚀刻图案化的第二导电层和MTJ层以在存储器区域中分别形成顶部电极和MTJ。本发明的实施例还涉及半导体器件。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和存储器区域； 在所述逻辑区域和所述存储器区域上沉积底部电极层； 在所述底部电极层上方沉积磁隧道结层； 在所述磁隧道结层上方沉积第一导电层； 在所述第一导电层上方沉积牺牲层； 去除所述存储器区域中的所述牺牲层，以暴露所述存储器区域中的所述第一导电层，同时保持所述逻辑区域中的所述第一导电层被覆盖； 在去除所述牺牲层之后，在所述存储器区域中的所述第一导电层上生长界面层； 在生长所述界面层之后，在所述存储器区域和所述逻辑区域中沉积第二导电层，其中，在所述存储器区域中，所述第一导电层与所述第二导电层被所述界面层分隔开； 图案化所述第二导电层和所述第一导电层以暴露所述存储器区域中的所述磁隧道结层；以及 蚀刻图案化的第二导电层的部分和所述磁隧道结层，以在所述存储器区域中分别形成顶部电极和磁隧道结。
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