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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利用于堆叠的垂直传输场效应晶体管的双重传输取向获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980085874.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于堆叠的垂直传输场效应晶体管的双重传输取向是由山下典洪;张辰;程慷果;吴恒设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于堆叠的垂直传输场效应晶体管的双重传输取向在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括：衬底；垂直鳍状物，所述垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方；第一垂直传输场效应晶体管VTFET，所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方；隔离层，所述隔离层围绕所述垂直鳍状物的第二部分设置在所述第一VTFET上方；以及第二VTFET，所述第二VTFET围绕所述垂直鳍状物的第三部分设置在所述隔离层的顶表面上方。垂直鳍状物的第一部分包括具有第一晶体取向的第一半导体层，第一晶体取向为第一VTFET提供第一垂直传输沟道，所述垂直鳍状物的所述第二部分包括绝缘体，并且所述垂直鳍状物的所述第三部分包括具有第二晶体取向的第二半导体层，所述第二晶体取向提供用于所述第二VTFET的第二垂直传输沟道。

本发明授权用于堆叠的垂直传输场效应晶体管的双重传输取向在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 衬底； 至少一个垂直鳍状物，所述至少一个垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方； 第一垂直传输场效应晶体管，所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述至少一个垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方； 隔离层，所述隔离层围绕所述至少一个垂直鳍状物的第二部分设置在所述第一垂直传输场效应晶体管上方；以及 第二垂直传输场效应晶体管，所述第二垂直传输场效应晶体管围绕所述至少一个垂直鳍状物的第三部分设置在所述隔离层的顶表面上方； 其中所述至少一个垂直鳍状物的所述第一部分包括具有第一晶体取向的第一半导体层，所述第一晶体取向为所述第一垂直传输场效应晶体管提供第一垂直传输沟道； 其中所述至少一个垂直鳍状物的所述第二部分包括绝缘体；以及 其中所述至少一个垂直鳍状物的所述第三部分包括具有第二晶体取向的第二半导体层，所述第二晶体取向为所述第二垂直传输场效应晶体管提供第二垂直传输沟道； 用于所述第一垂直传输场效应晶体管的第一底部源极漏极区，所述第一底部源极漏极区包括邻近所述衬底的所述顶表面的掺杂区和邻近所述衬底的所述顶表面的所述第一半导体层的第一部分的掺杂区； 第一底部间隔体，所述第一底部间隔体设置在所述衬底的所述顶表面上方并且围绕所述第一半导体层的所述第一部分； 第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠设置在所述第一底部间隔体的顶表面上方并且围绕所述第一半导体层的第二部分； 第一顶部间隔体，所述第一顶部间隔体设置在所述第一栅极堆叠的顶表面上方并且围绕所述第一半导体层的第三部分；以及 用于所述第一垂直传输场效应晶体管的第一顶部源极漏极触点，所述第一顶部源极漏极触点被设置在所述第一顶部间隔体的顶表面上方并且围绕所述第一半导体层的第四部分； 其中所述第一半导体层的所述第三部分和所述第一半导体层的所述第四部分被掺杂，以提供用于所述第一垂直传输场效应晶体管的第一顶部源极漏极区。

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