台湾积体电路制造股份有限公司林文凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110264642.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及制造方法是由林文凯;张哲豪;徐志安;卢永诚设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及制造方法。提出了半导体器件及其制造方法，其中，在半导体器件的栅极的侧壁上制造间隔件。在实施例中，间隔件包括第一密封件、第二密封件和接触蚀刻停止层，其中，第一密封件包括第一壳体以及第一体材料，第二密封件包括第二壳体以及第二体材料，并且接触蚀刻停止层包括第三体材料和第二电介质材料。
本发明授权半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一间隔件层，包括设置在两个外层之间的内层，其中，所述内层和所述两个外层各自包括第一材料，其中，所述两个外层的碳含量大于所述内层的碳含量，并且所述两个外层的氧含量小于所述内层的氧含量；以及 第二间隔件层，包括第一层和第二层，所述第一层是所述第一材料并且与所述两个外层之一直接接触，其中，所述第一材料包括SiOCN，并且所述第二层包括氮化硅。
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