台湾积体电路制造股份有限公司傅劲逢获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011375976.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件和方法是由傅劲逢;王冠人;张云闵;黄玉莲设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法，其有助于在移除材料以形成气隙时支撑接触件。在实施例中，接触件被形成有扩大的基部以辅助支撑接触件的上覆部分。在其他实施例中，也可以在形成气隙之前放置支架材料以便提供附加支撑。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件邻近于第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件位于半导体鳍之上，所述半导体鳍位于衬底之上； 第一接触件，所述第一接触件位于所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件之间，所述第一接触件与源极漏极区域电连接，所述第一接触件具有位于距所述衬底第一距离处的第一宽度以及位于距所述衬底第二距离处的第二宽度，所述第二距离大于所述第一距离，并且所述第一宽度比所述第二宽度小了大于零且小于5nm的量； 气隙，所述气隙位于所述第一接触件和所述第一栅极堆叠件之间；以及 基部层，所述基部层背离所述第一接触件延伸并且在所述气隙下方延伸，并且所述基部层直接接触所述第一接触件的侧壁并位于所述源极漏极区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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