株式会社半导体能源研究所濑尾哲史获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113493389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110362077.3，技术领域涉及：C07C211/61；该发明授权芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置是由濑尾哲史;大泽信晴;久保田朋广;渡部刚吉;植田蓝莉;北野靖;鸟巢崇生设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置在说明书摘要公布了：提供一种折射率低的新颖芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置。本发明是提供一种具有至少一个芳香基的芳基胺化合物，所述芳香基具有第一苯环、第二苯环及第三苯环以及至少三个烷基，所述第一苯环至所述第三苯环依次直接键合，所述第一苯环与胺的氮键合，第一苯环可以还具有取代或未取代的苯基，所述第二苯环或所述第三苯环可以还具有烷化苯基，所述第一苯环至所述第三苯环中的两个以上在1位及3位分别独立地与其他苯环、所述烷化苯基的苯环、所述至少三个烷基中的任意个或所述胺的氮键合。
本发明授权芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置在权利要求书中公布了：1.一种由通式G1表示的芳基胺化合物： 其中： Ar1表示取代或未取代的苯环或者两个或三个取代或未取代的苯环彼此键合的取代基， R6、R7及R8分别独立地表示碳原子数为1至4的烷基， m表示0至4的整数， R11至R15中的一个表示由通式g1表示的取代基， R11至R15中的其他分别独立地表示氢和碳原子数为1至6的烷基中的任一个， R21至R25中的一个表示由通式g2表示的取代基， R21至R25中的其他分别独立地表示氢和碳原子数为1至6的烷基中的任一个， R31至R35分别独立地表示氢和碳原子数为1至6的烷基中的任一个， R11至R15、R21至R25和R31至R35中的至少三个表示碳原子数为3至5的支链链烷基， R12及R14、R22及R24以及R32及R34的三个组合中的至少两个组合中R12及R14、R22及R24以及R32及R34中的至少一个表示氢以外的所述取代基的任意个。
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