拓自达电线株式会社山本祥久获国家专利权
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龙图腾网获悉拓自达电线株式会社申请的专利电磁波屏蔽膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113545180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080021637.2，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权电磁波屏蔽膜是由山本祥久;上农宪治;山内志朗设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本电磁波屏蔽膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种气体穿透性优越，高频带电磁波的屏蔽性能也优越的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜1含有电磁波屏蔽层12和导电性胶粘剂层11，所述电磁波屏蔽层12含有第1屏蔽层12a和第2屏蔽层12b，所述第1屏蔽层12a含有开口部121，所述第2屏蔽层12b覆盖所述第1屏蔽层12a的所述开口部121。所述第1屏蔽层12a的厚度和所述第2屏蔽层12b的厚度的比值即第1屏蔽层的厚度第2屏蔽层的厚度优选为3.0～300。
本发明授权电磁波屏蔽膜在权利要求书中公布了：1.一种电磁波屏蔽膜，其特征在于： 所述电磁波屏蔽膜含有电磁波屏蔽层和导电性胶粘剂层， 所述电磁波屏蔽层含有第1屏蔽层和第2屏蔽层，所述第1屏蔽层含有开口部，所述第2屏蔽层覆盖所述第1屏蔽层的所述开口部， 所述第1屏蔽层的厚度和所述第2屏蔽层的厚度的比值即第1屏蔽层的厚度第2屏蔽层的厚度为3.0～300， 所述第2屏蔽层的厚度为0.1～0.5μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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