清华大学刘泽文获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利氮化镓温度传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113847996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111114273.5，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权氮化镓温度传感器及其制备方法和应用是由刘泽文;孙剑文设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓温度传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了氮化镓温度传感器及其制备方法和应用。其中，该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上，所述阳极不与所述阴极接触。该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率、高温等应用场景的测温需求。
本发明授权氮化镓温度传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓温度传感器，其特征在于，包括： 氮化镓层； 隧穿层，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔； 阴极，所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触； 阳极，所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上，所述阳极不与所述阴极接触， 所述隧穿层材料为选自二氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氮化硅和氮化铝中的至少之一， 所述隧穿层的厚度为0.5～10nm。
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