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龙图腾网获悉苏州伟创电气科技股份有限公司申请的专利碳化硅MOS管驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113904669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111154716.3，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权碳化硅MOS管驱动电路是由张恒;梁红光;何承曾设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOS管驱动电路在说明书摘要公布了：本申请涉及一种碳化硅MOS管驱动电路，涉及工业自动化领域，该碳化硅MOS管驱动电路包括：变压器、至少一个驱动控制电路，以及与所述至少一个驱动控制电路中的各驱动控制电路连接的碳化硅MOS管；其中，所述变压器包括原边线圈和与所述驱动控制电路数量对应的副边线圈；所述原边线圈用于接收输入信号，每个所述副边线圈与一个所述驱动控制电路连接，所述驱动控制电路用于根据所述副边线圈提供的驱动信号驱动所述碳化硅MOS管导通或者关断，所述驱动信号和所述输入信号之间的电压的比值等于所述副边线圈和所述原边线圈之间的匝数的比值。这样，使得该碳化硅MOS管驱动电路的整体结构更为简单，且成本更低。

本发明授权碳化硅MOS管驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述碳化硅MOS管驱动电路包括：变压器、至少一个驱动控制电路，以及与所述至少一个驱动控制电路中的各驱动控制电路连接的碳化硅MOS管； 其中，所述变压器包括原边线圈和与所述驱动控制电路数量对应的副边线圈；所述原边线圈用于接收输入信号，每个所述副边线圈与一个所述驱动控制电路连接，所述驱动控制电路用于根据所述副边线圈提供的驱动信号驱动所述碳化硅MOS管导通或者关断，所述驱动信号和所述输入信号之间的电压的比值等于所述副边线圈和所述原边线圈之间的匝数的比值； 其中，所述驱动控制电路包括第一二极管、第二二极管、第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容； 其中，所述第一电阻的第一端与所述副边线圈的第一端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第一三极管的发射极和所述第二电阻的第一端连接，所述第二二极管的阴极与所述第一三极管的基极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第三电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第一三极管的集电极、所述碳化硅MOS管的源极均与所述副边线圈的第二端连接；所述碳化硅MOS管的漏极连接于直流母排的P输入端或者OUT输出端； 其中，所述第一电阻和所述第二电阻为可变电阻，所述第三电阻的电阻值大于所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值之和。

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