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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利芯片的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111045687.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片的封装结构及封装方法是由崔雍;廖龙忠;朱延超;宋洁晶;付兴中;张力江设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的下表面设有与信号连接压点对应电连接的信号引出压点以及与接地压点对应连接的接地引出压点；位于上层的晶圆级芯片的信号引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的信号连接压点键合，位于上层的晶圆级芯片的接地引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的接地压点对应、且键合。本发明通过GaN工艺和晶圆级键合技术将多个晶圆级芯片堆叠为一体，实现GaN单片微波集成电路的晶圆级封装，提高了芯片的集成度。

本发明授权芯片的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一第一衬底和一第二衬底； 在所述第一衬底的上表面生长第一GaN外延层，并在所述第一GaN外延层上制作配套的器件及对应的多个第一信号连接压点和多个第一接地压点；在所述第二衬底的上表面生长第二GaN外延层，并在所述第二GaN外延层上制作配套的器件及对应的多个第二信号连接压点和多个第二接地压点； 将所述第一信号连接压点和所述第一接地压点引出到所述第一衬底的下表面，形成第一信号引出压点和第一接地引出压点，具体包括以下步骤： 将所述第一衬底的下表面减薄至预设厚度； 将所述减薄后的第一衬底的下表面的预设区域进行刻蚀，直至刻蚀达到对应的所述第一信号连接压点和所述第一接地压点，形成通孔； 在所述通孔和所述第一衬底的下表面溅射种子层、且在所述种子层上电镀形成第一金属层； 在所述第一衬底的下表面采用光刻工艺，在所述第一接地引出压点和所述第一信号引出压点间制备隔离区域； 将所述第一衬底的下表面的隔离区域的金属进行腐蚀，去掉所述隔离区域的金属，实现所述第一接地引出压点和所述第一信号引出压点间的隔离； 采用光刻和蒸发工艺，对所述第一接地引出压点和所述第一信号引出压点进行加厚处理； 采用金金键合工艺将所述第一信号引出压点与所述第二信号连接压点键合，所述第一接地引出压点与所述第二接地压点键合； 将所述第二接地压点引出到所述第二衬底的下表面，形成金属镀层，具体包括以下步骤： 将所述第二衬底的下表面减薄至预设厚度； 将所述减薄后的第二衬底的下表面的预设区域进行刻蚀，直至刻蚀达到所述第二接地压点，形成通孔； 在所述通孔和所述第二衬底的下表面溅射种子层、且在所述种子层上电镀形成金属镀层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所，其通讯地址为：050051 河北省石家庄市合作路113号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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