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龙图腾网获悉新纳传感系统有限公司申请的专利全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114002628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111215615.2，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜是由李大来;黄正伟;王鑫设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜，其中，全桥磁电阻传感器包括第一双钉扎磁电阻多层膜至第四双钉扎磁电阻多层膜，第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连；第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连；第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连；第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连。其中，全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火。与现有技术相比，本发明不仅可以实现单芯片全桥功能，而且零点小，退火工艺简单，成本低。

本发明授权全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜在权利要求书中公布了：1.一种全桥磁电阻传感器，其特征在于，其包括第一双钉扎磁电阻多层膜、第二双钉扎磁电阻多层膜、第三双钉扎磁电阻多层膜和第四双钉扎磁电阻多层膜， 所述第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连；所述第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连；所述第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连；所述第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连， 所述全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火， 每个双钉扎磁电阻多层膜包括依次层叠设置的缓冲层、第一反铁磁层、第一铁磁层、第一夹层、铁磁参考层、间隔层、铁磁自由层、第二夹层、第二铁磁层、第二反铁磁层和覆盖层， 所述第一反铁磁层对所述第一铁磁层施加第一交换偏置； 所述第一铁磁层通过所述第一夹层对所述铁磁参考层施加第一人工反铁磁耦合； 所述第二反铁磁层对所述第二铁磁层施加第二交换偏置； 所述第二铁磁层通过所述第二夹层对所述铁磁自由层施加第二人工反铁磁耦合， 所述全桥磁电阻传感器通过第一次退火，定义了所述第一铁磁层、铁磁参考层、铁磁自由层和第二铁磁层的磁晶各向异性，且定义了所述第一铁磁层的磁化强度方向、第一交换偏置和铁磁参考层的磁化强度方向； 所述第一次退火包括：温度从室温升高到第一温度T1，施加磁场H，温度从第一温度T1降低到室温， 定义xy平面坐标系，其中，X轴和Y轴相互垂直，所述磁场H方向沿着X轴， 所述全桥磁电阻传感器通过第二次退火，利用形状各向异性和磁晶各向异性定义了所述第二铁磁层的磁化强度方向、第二交换偏置和铁磁自由层的磁化强度方向； 所述第二次退火包括：温度从室温升高到第二温度T2，不施加磁场，温度从第二温度T2降低到室温，其中，所述第二温度T2大于所述第二反铁磁层的阻塞温度，所述第二温度T2小于所述第一温度T1， 经过第二次退火后， 所述第一双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的磁化强度方向与所述X轴的夹角为180+δ； 所述第二双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的磁化强度方向与所述X轴的夹角为180-δ； 所述第三双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的磁化强度方向与所述X轴的夹角为180-δ； 所述第四双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的磁化强度方向与所述X轴的夹角为180+δ； 其中，δ=ε-0.5atan{K1sin2ε[Kd+K1cos2ε]}，K1为磁晶各向异性能，Kd为形状各向异性能，ε为经过第二次退火后的铁磁自由层的形状各向异性轴沿着所述第一双钉扎磁电阻多层膜的长边并与X轴的夹角；δ为经过第二次退火后的所述第一双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的有效各向异性轴与X轴的夹角；经过第二次退火后的所述第一双钉扎磁电阻多层膜的铁磁自由层的磁晶各向异性轴沿着X轴。

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