三星电子株式会社安兴培获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114063381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110724790.8,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法是由安兴培;朴商五;梁承薰设计研发完成,并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了:本公开提供制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法。一种制造掩模的方法可以包括:识别形成在基板上的最终图案中的误差图案;基于该误差图案校正第一目标图案;基于校正后的第一目标图案将第一掩模布局分割为多个第一段;以及通过偏移所述多个段当中的对应于第一最终目标的多个第一目标段来校正第一掩模布局。第一掩模布局可以包括第一延伸图案、设置为Z字形的最终目标以及对应于误差图案的第一最终目标,所述多个第一段中的每个可以对应于最终目标中的一个。
本发明授权制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种制造掩模的方法,所述方法包括: 识别与在基板上的图案相对应的最终图案中的误差图案; 基于所述误差图案校正第一目标图案,所述第一目标图案是在光致抗蚀剂上实现的图案; 基于校正后的第一目标图案将第一掩模布局分割为多个第一段,所述第一掩模布局包括a在第一水平方向上延伸的第一延伸图案、b对应于所述最终图案并以Z字形形式布置的最终目标以及c对应于所述误差图案的第一最终目标,所述多个第一段中的每个对应于所述最终目标中的一个;以及 通过偏移所述多个第一段当中的对应于所述第一最终目标的多个第一目标段来校正所述第一掩模布局。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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