美光科技公司何德平获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于确定存储器单元读取偏移的技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114067895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110855935.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权用于确定存储器单元读取偏移的技术是由何德平;苗竞元设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定存储器单元读取偏移的技术在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于确定存储器单元读取偏移的技术，其经描述以支持使用读取电压电平与电压偏移之间的关系来确定针对一或多个存储器单元电平的电压偏移及对应读取电压电平。存储器装置可使用第一程序估计第一电压偏移，并且可使用所述第一电压偏移执行读取操作。如果第一电压偏移导致针对对应存储器单元电平的读取错误，那么所述存储器装置可使用所述关系来确定经更新电压偏移。所述关系可预测针对给定读取电压电平的电压偏移，使得所述存储器装置可使用所述关系以预测针对存储器单元电平的经更新电压偏移。所述存储器装置可使用所述经更新电压偏移以执行针对所述一或多个存储器单元的第二读取操作。
本发明授权用于确定存储器单元读取偏移的技术在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 存储器阵列；及 控制组件，其与所述存储器阵列耦合且经配置以致使所述存储器设备： 至少部分基于对多电平存储器单元的第一读取操作的失败来确定针对所述多电平存储器单元的一或多个电平的一或多个相应第一电压阈值偏移； 使用所述一或多个相应第一电压阈值偏移对所述多电平存储器单元执行第二读取操作； 至少部分基于所述第二读取操作的失败并且至少部分基于根据所述一或多个相应第一电压阈值偏移与所述多电平存储器单元的相应电平之间的关系来调整所述一或多个相应第一电压阈值偏移中的至少一者来确定针对所述多电平存储器单元的所述一或多个电平的一或多个相应第二电压阈值偏移；及 使用所述一或多个相应第二电压阈值偏移对所述多电平存储器单元执行第三读取操作。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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