苏州能屋电子科技有限公司张炳良获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能屋电子科技有限公司申请的专利基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111382039.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法是由张炳良;杜仲凯;刘雷设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法，包括：在用于制作HEMT器件的外延片上设置掩模，并使势垒层的栅极区域从所述掩模中暴露出；对所述外延片设置有掩模的一侧表面进行抛光处理，其中采用的抛光液还能选择性腐蚀所述势垒层，直至在所述势垒层中形成与栅极配合的凹槽结构。本发明通过采用化学抛光方式，可以无损伤地选择性刻蚀HEMT器件外延结构中的势垒层而形成与栅极配合的凹槽结构，不仅工艺简单、成本低廉、可控制性及重复性高，而且能有效降低器件结构的刻蚀损伤，获得更小的栅下表面粗糙度，显著提高器件的可靠性，并使器件具备饱和电流大、导通电阻小、均匀性好，利于产业规模化生产。
本发明授权基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法，其特征在于，包括： 先在用于制作HEMT器件的外延片上设置掩模，并使势垒层的栅极区域从所述掩模中暴露出，所述外延片包括GaN沟道层和AlGaN势垒层； 然后将所述外延片固定在化学抛光设备上，并使所述势垒层的栅极区域与抛光工具的抛光层接触； 之后在所述外延片与抛光工具之间施加2-5kg的压力，并使抛光液进入所述势垒层的栅极区域与抛光工具的抛光层的接触界面，同时使所述外延片与抛光工具以2000-4000rpm的相对旋转速度相对旋转，且使所述抛光工具以40-80rpm的速度自转，以对所述外延片设置有掩模的一侧表面进行抛光处理，直至在所述势垒层中形成与栅极配合的凹槽结构； 其中，所述抛光液的pH值为10-12，并含有5-30wt%抛光颗粒，且能选择性腐蚀所述势垒层，所述抛光颗粒的粒径大于0且在500nm以下。
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