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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111348460.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体存储装置及其制备方法是由陈云;詹益旺;陈凡;刘强;李宝玉;江丽贞设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体存储装置及其制备方法，能够满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。半导体存储装置的制备方法包括以下步骤：提供衬底，上表面形成有导电结构层；图形化导电结构层，从而形成包括第一图案结构的第一导电结构，第一图案结构沿第一方向延伸，在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度，第一图案结构还包括末端导电结构，末端导电结构包括沿第一方向依次设置的内侧加宽部以及外侧加宽部，分别用于沿第三方向延伸第一图案结构，以及沿第四方向延伸第一图案结构，且第三方向和第四方向均非平行于第一方向。

本发明授权半导体存储装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底的上表面形成有导电结构层； 沿垂直所述衬底上表面的方向，向下刻蚀所述导电结构层的第一侧表面，使所述导电结构层的第一侧表面形成梳状结构，且所述梳状结构的各个齿沿第一方向延伸，且所述衬底外露于所述梳状结构的相邻两齿之间； 在所述衬底上表面形成介电层，所述介电层至少位于所述梳状结构的相邻两齿之间，且所述介电层的上表面与所述导电结构层的上表面齐平； 在所述梳状结构上表面形成线状牺牲层，所述线状牺牲层沿所述第一方向延伸，且所述线状牺牲层至少部分位于所述导电结构层的梳状结构的单个齿的上表面，以及至少部分位于所述介电层的上表面，且所述线状牺牲层沿所述第一方向的第一端设置有延伸部，所述延伸部的延伸方向为第四方向； 在所述线状牺牲层的上表面以及侧壁表面形成隔断层，且相邻两牺牲层侧壁表面设置的隔断层在所述延伸部的区域交汇； 去除所述线状牺牲层上表面的隔断层以及所述线状牺牲层，形成第一图形掩膜； 在所述第一图形掩膜上表面，堆叠形成第二图形掩膜，所述第二图形掩膜还部分位于所述介电层以及所述梳状结构的上表面，从而构成掩膜层； 图形化所述掩膜层，使所述梳状结构和所述介电层均部分外露； 沿垂直所述衬底上表面的方向，向下刻蚀所述梳状结构，从而在所述衬底表面形成第一导电结构；所述第一导电结构包括第一图案结构，所述第一图案结构沿第一方向延伸，在第二方向上具有第一宽度，且所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一图案结构还包括设置在第一方向上的末端导电结构，所述末端导电结构包括沿所述第一方向依次设置的内侧加宽部以及外侧加宽部，所述外侧加宽部用于沿第三方向延伸所述第一图案结构，所述内侧加宽部用于沿第四方向延伸所述第一图案结构，且所述第三方向和第四方向均非平行于所述第一方向。

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