华邦电子股份有限公司任楷获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010836870.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构及其制造方法是由任楷;刘祥伯设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括依序形成绝缘层及图案化掩膜层于基板上。图案化掩膜层具有开口，开口包括主体部以及位于主体部两端的两个延伸部。所述方法包括依序形成第一牺牲层、第二牺牲层及第三牺牲层于绝缘层上。第一牺牲层填入于开口的延伸部中，且在开口的主体部中定义出凹口。第二牺牲层形成于第一牺牲层所定义出的凹口中。第三牺牲层形成在位于延伸部中的第一牺牲层上。本发明实施例提供的半导体结构的制造方法能够改善半导体结构的良品率及可靠度，而不会明显增加工艺的复杂度及生产成本。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 形成一绝缘层于一基板上； 形成一图案化掩膜层于所述绝缘层上，其中所述图案化掩膜层具有一开口，其中所述开口包括： 一主体部；以及 两个延伸部，分别位于所述主体部的两端，其中各所述延伸部具有一第一宽度，且所述主体部具有大于所述第一宽度的一第二宽度； 顺应性地形成一第一牺牲层于所述绝缘层及所述图案化掩膜层上，其中所述第一牺牲层填入于所述开口的所述延伸部中，且所述第一牺牲层在所述开口的所述主体部中定义出一凹口； 形成一第二牺牲层于所述第一牺牲层所定义出的所述凹口中； 形成一第三牺牲层于位于所述延伸部的所述第一牺牲层上，其中所述第一牺牲层与所述第二牺牲层由不同材料所形成，且所述第二牺牲层与所述第三牺牲层由不同材料所形成；及 进行一刻蚀工艺，以将所述第二牺牲层的图案转移至所述绝缘层，以在位于所述主体部的所述绝缘层的两侧分别形成一第一沟槽与一第二沟槽。
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