华东光电集成器件研究所何凯旋获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114132893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111479935.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法是由何凯旋;刘磊;吕东锋;郭立建;张胜兵设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法，它包括以下步骤：1衬底层制作，2SOI层制作，3键合晶圆制作。本发明可实现静电驱动微镜与介质隔离压阻式反馈传感器集成制造，可以将压敏电阻的漏电流降低到几个nA量级以下，大幅提高角度检测传感器稳定性。
本发明授权一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：一衬底层制作，它包括在硅片1上设置有二氧化硅层2,在硅片1上设有凹槽3； 二SOI层制作，将三层或两层晶体硅片通过隔离层5叠加键合在一起，在下层晶体硅的下方通过隔离层5键合有衬底硅层6，在上层晶体硅上刻蚀有一组盲孔结构，从而得到一组第一梳齿7，所述刻蚀至下一层的晶体硅停止； 三键合晶圆制作，将一衬底层制作中所述硅片1通过二氧化硅层2与二SOI层制作中所述上层晶体硅键合在一起，使得所述的一组第一梳齿7与凹槽3对应分布，而后去除衬底硅层6，在隔离层5上设置一组压敏电阻8，在压敏电阻8与隔离层5上设置钝化层14、在钝化层14上设置与压敏电阻8对应配合的引线孔15，在引线孔15和钝化层14上设置有金属引线16，在钝化层14上向下刻蚀有一组通孔结构，从而得到一组第二梳齿9。
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