上海华力微电子有限公司金鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种增强特殊分布缺陷检测的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111433602.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种增强特殊分布缺陷检测的方法是由金鑫;瞿燕;刘飞珏设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强特殊分布缺陷检测的方法在说明书摘要公布了：一种增强特殊分布缺陷检测的方法，包括：在缺陷扫描机台进行缺陷扫描，以生成晶圆缺陷分布图；对缺陷分布图进行图形算法处理，以判断缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图；对不具有特殊分布缺陷图的晶圆，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的OOCOOS值按照第一规则检查判断；对具有特殊分布缺陷图的晶圆，进行图形算法处理，并对特殊分布缺陷图进行提取和分类，匹配不同的OOCOOS值，按照第二规则检查判断。本发明进一步增加特殊分布缺陷图定义，并匹配不同的OOCOOS值，以对具有特殊分布缺陷图的晶圆进行检查判断，不仅时效性强，可及时发现特殊分布缺陷图，而且取样针对性高，增强对特殊分布缺陷群取样检查，增加样本量。
本发明授权一种增强特殊分布缺陷检测的方法在权利要求书中公布了：1.一种增强特殊分布缺陷检测的方法，其特征在于，所述增强特殊分布缺陷检测的方法，包括： 执行步骤S1：在缺陷扫描机台进行缺陷扫描，以生成晶圆缺陷分布图； 执行步骤S2：对所述晶圆缺陷分布图进行图形算法处理，以判断所述晶圆缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图；其中，所述特殊分布缺陷图包括类型一之团簇型、类型二之线型、类型三之弧型和类型四之扇型； 执行步骤S3：对不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值和超出规范值按照第一规则进行随机样品检查判断；对具有特殊分布缺陷图的所述晶圆，进行图形算法处理，并对所述特殊分布缺陷图进行提取和分类，进而针对各种类型的特殊分布缺陷图匹配不同的超出控制值和超出规范值，按照第二规则进行特殊分布缺陷图之样品检查判断。
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