长江存储科技有限责任公司张权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003702.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制作方法是由张权;姚兰;周璐设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在衬底中形成位于第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于第二区域的至少两个第二浅沟槽隔离结构；形成第二掩膜层；依次刻蚀位于第二区域的第二掩膜层以及至少两个第二浅沟槽隔离结构，以于相邻两个第二浅沟槽隔离结构之间形成半导体突起。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 在所述衬底上形成位于第一区域的第一器件氧化层和位于所述第二区域的第二器件氧化层； 在所述第一器件氧化层和所述第二器件氧化层上形成第一掩膜层； 在所述衬底中形成位于所述第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于所述第二区域的至少两个第二浅沟槽隔离结构； 在所述衬底、所述第一浅沟槽隔离结构以及所述至少两个第二浅沟槽隔离结构上形成第二掩膜层； 去除位于所述第二区域的第二掩膜层，以及刻蚀所述至少两个第二浅沟槽隔离结构直至低于所述衬底，以于相邻两个所述第二浅沟槽隔离结构之间形成半导体突起； 依次去除位于所述第一区域的第二掩膜层，以及所述第一区域和所述第二区域的第一掩膜层； 在所述半导体突起的两侧形成补充氧化层，以延展所述第二器件氧化层； 在所述第一器件氧化层上形成第一栅极层； 在延展的所述第二器件氧化层上形成包覆所述半导体突起的第二栅极层； 其中，所述第一器件氧化层、所述衬底和所述第一栅极层形成平面型控制晶体管，所述第二器件氧化层、所述半导体突起和所述第二栅极层形成鳍式场效应晶体管。
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