国际商业机器公司P·哈希米获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有T形底电极以克服电偶效应的MRAM结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055127.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权具有T形底电极以克服电偶效应的MRAM结构是由P·哈希米;B·多里斯;E·奥沙利文;M·F·洛法罗设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有T形底电极以克服电偶效应的MRAM结构在说明书摘要公布了：提供一种避免由于电偶效应引起的高电阻的存储器结构。通过提供均匀结构的T形底部电极构造即，单件来减小和或消除高电阻。T形底电极结构包括窄基底部分和较宽的支架部分。T形底电极结构的支架部分具有平面的最顶表面，MTJ柱与该最顶表面形成界面。
本发明授权具有T形底电极以克服电偶效应的MRAM结构在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，包括： 具有均匀构造的T形底电极结构，所述T形底电极结构位于嵌入在第一互连电介质材料层中的互补金属氧化物半导体CMOS器件连接的导电结构的表面上，所述T形底电极结构包括基底部分和支架部分，所述支架部分的宽度大于所述基底部分的宽度； 第二互连电介质材料层，所述第二互连电介质材料层位于所述第一互连电介质材料层上方，并且横向围绕所述T形底电极结构的所述基底部分，并且其中，所述第二互连电介质材料层具有凹表面； 位于所述T形底电极结构上的多层磁性隧道结MTJ柱， 位于所述MTJ柱上的顶电极结构；以及 在所述第二互连电介质材料层的所述凹表面上的包封衬里和第三互连电介质材料层，所述包封衬里及所述第三互连电介质材料层横向邻近于所述T形底电极结构的所述支架部分、所述MTJ柱及所述顶电极结构而定位。
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