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深圳高性能医疗器械国家研究院有限公司陈支通获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳高性能医疗器械国家研究院有限公司申请的专利等离子体射流阵列发生装置及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114177531B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111325271.0,技术领域涉及:A61N1/44;该发明授权等离子体射流阵列发生装置及系统是由陈支通;白帆;唐天宇;杨广权设计研发完成,并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子体射流阵列发生装置及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种等离子体射流阵列发生装置及系统,其中,等离子体射流阵列发生装置包括多个等离子体发生结构,等离子体发生结构用于产生等离子体,多个等离子体包括用于输出等离子体的第一出口,多个等离子体发生结构的第一出口朝向同一方向。本发明是一种基于大气压冷等离子体发生器的等离子体射流阵列发生装置,根据情况可以设计不同的外壳,以实现局部的筒型和长方体型冷等离子体射流,以及可弯折的大面积均匀稳定的冷等离子体射流阵列发生系统。

本发明授权等离子体射流阵列发生装置及系统在权利要求书中公布了:1.一种等离子体射流阵列发生装置,其特征在于,包括多个等离子体发生结构,所述等离子体发生结构用于产生等离子体,所述多个等离子体发生结构包括用于输出所述等离子体的第一出口,所述多个等离子体发生结构的所述第一出口朝向同一方向;所述等离子体发生结构包括第一外壳、第二外壳、第一电极以及第二电极,所述第一外壳内设有第一容腔,所述第一外壳还设有第一进气口,而所述第一出口设置于所述第一外壳,所述第一进气口与所述第一出口分别跟所述第一容腔连通,所述第二电极设置于所述第一容腔内,所述第一电极设置于所述第一外壳,且所述第一电极与所述第二电极之间存在间隙,通过通电后的所述第一电极与所述第二电极配合以将所述第一电极与所述第二电极之间的气体变为所述等离子体;所述等离子体发生结构的部分设置于所述第二外壳内,且第二外壳设有第一开口,所述第一开口跟所述等离子体发生结构一一对应,所述等离子体发生结构设有所述第一出口的一端能穿过对应的所述第一开口使得所述第一出口位于所述第二外壳外,所述第二外壳设有第二进气口,所述第二进气口与所述多个等离子体发生结构的所述第一进气口连通;所述第一开口设有第一开关件,所述第一开关件包括第一主体以及与所述第一主体连接的塞体,所述第一主体固定于所述第二外壳且位于所述第二外壳外,所述第一主体设有第二容腔,所述第二容腔的一端与对应的所述第一开口连通,所述第二容腔的第二端与外界连通,所述塞体与所述第二容腔的第二端可拆卸连接,且当所述塞体置入所述第二容腔的第二端时,通过所述第二外壳、所述第一开关件的所述第一主体以及所述塞体的配合以限制所述等离子体从与所述第一开关件对应的所述第一开口离开所述第二外壳。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳高性能医疗器械国家研究院有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-76号银星智界二期1号楼A101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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