株式会社国际电气市村圭太获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111069117.1，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质是由市村圭太;中山雅则;井川博登;竹岛雄一郎;舟木克典;岸本宗树;山角宥贵;坪田康寿;上田立志设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。在使用等离子体进行对基板的掺杂处理时，抑制堆积物的产生。本发明的半导体装置的制造方法中，通过进行以下工序来将基板的表面改性为含杂质层：向容纳所述基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和稀释气体的气体供给工序、对含杂质气体和稀释气体进行等离子体激发的工序和将由等离子体激发而生成的含有杂质的活性种供给至基板的工序，在气体供给工序中，控制上述含杂质气体和上述稀释气体的流量比，以使得处理室内含杂质气体的分压成为比在上述处理室内含杂质气体会形成堆积物的分压小的预定分压。
本发明授权半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法， 通过进行以下工序从而对于下述高纵横比结构的内表面保形地形成含杂质层： 向容纳设有纵横比为20以上的高纵横比结构的基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和氢气体的气体供给工序， 对所述含杂质气体和所述氢气体进行等离子体激发的工序，和 将由等离子体激发而生成的含有所述杂质的活性种供给至所述基板的工序； 在所述气体供给工序中，控制所述含杂质气体和所述氢气体的流量比，以使得所述处理室内的所述含杂质气体的分压成为比在所述处理室内所述含杂质气体会形成包含聚合物的堆积物的分压小的预定分压。
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