复旦大学唐久阳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111482201.6，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法是由唐久阳;刘盼;雷光寅设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法。本发明的功率模块包括两个基板，其以顶盖作为第二基板，第二基板的内部贴装二极管或电阻元件；本发明的功率模块通过在传统封装的固晶键合工艺步骤之前将顶盖作为第二基板对需要固定的元件位置标定进而封装获得。本发明采用将二极管或者电阻元件等非主要发热元件固定于顶盖的设计，这一结构设计上的改进有助于减小功率模块高频工作下的寄生参数和其他电学损耗。同时本发明在现有的结构上无需添加新材料新结构，不需要引入新的工艺方案，在已有的制造流程下即可实现，便于推广应用。
本发明授权一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低寄生参数的功率半导体模块，其包括底板、DBC基板、芯片、功率端子、非主要发热元件和外壳，其特征在于，其采用双基板结构，底板上焊接DBC基板，DBC基板为第一基板，DBC基板的铜层上贴装芯片，DBC基板上焊接功率端子，外壳封装在底板上，外壳的顶盖为第二基板，顶盖内侧通过第一金属贴片贴装非主要发热元件，非主要发热元件通过顶盖上设置的第二金属贴片和功率端子实现直接电互联。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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