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龙图腾网获悉苏州英嘉通半导体有限公司申请的专利铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111594891.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法是由宁殿华;蒋胜;柳永胜;程新设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法，所述测量结构包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，所述氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面处形成有二维电子气；位于异质结上的第一金属层，所述第一金属层与二维电子气电气连接；位于第一金属层及异质结上的钝化层；位于钝化层上的第二金属层，所述第二金属层包括全部或部分位于第一金属层上方区域内的第一金属极板及全部或部分位于二维电子气上方区域内的第二金属极板。本发明的测量结构可形成不包含铝镓氮势垒层的第一平行板电容器和包含铝镓氮势垒层的第二平行板电容器，基于电压‑电容特性测试及平行板电容器电容公式可以最终获得铝镓氮势垒层的厚度。

本发明授权铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种铝镓氮势垒层厚度测量方法，应用于测量结构，其特征在于，所述测量结构包括： 衬底； 位于衬底上的异质结，异质结包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，所述氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面处形成有二维电子气； 位于异质结上的第一金属层，所述第一金属层与二维电子气电气连接； 位于第一金属层及异质结上的钝化层； 位于钝化层上的第二金属层，所述第二金属层包括全部或部分位于第一金属层上方区域内的第一金属极板及全部或部分位于二维电子气上方区域内的第二金属极板； 所述测量结构包括第一平行板电容器和第二平行板电容器，第一平行板电容器的上极板为第一金属极板，下极板为第一金属层，介质层为钝化层，第二平行板电容器的上极板为第二金属极板，下极板为二维电子气，介质层为铝镓氮势垒层与钝化层； 所述测量方法包括： S1、获取第一平行板电容器的第一电容值C1及第二平行板电容器的第二电容值C2； S2、根据C1=εr1S1d1，得到第一平行板电容器中介质层的介质介电常数εr1，S1为位于第一金属层上方区域内的第一金属极板的面积，d1为钝化层的厚度； S3、根据C2=εr2S2d2，得到铝镓氮势垒层与钝化层的总厚度d2，第二平行板电容器的介质介电常数εr2取值为第一平行板电容器的介质介电常数εr1，S2为位于二维电子气上方区域内的第二金属极板的面积； S4、根据dAlGaN=d2-d1，得到铝镓氮势垒层的厚度dAlGaN。

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