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龙图腾网获悉南方科技大学;中国科学院物理研究所申请的专利一种二维材料异质结器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111540061.3，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权一种二维材料异质结器件及其制备方法是由林君浩;杨其朔;李沛岭设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料异质结器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维材料异质结器件及其制备方法，属于二维材料领域。所述制备方法通过反应离子刻蚀机刻蚀基底后加工包埋电极，保证电极与衬底高度基本一致从而有效提高了表面平整度，有利于避免在制备多层异质结结构时异质结结构出现破裂，有利于形成更多层数的异质结结构，极大提高了多层异质结器件的成功率与器件质量。所述制备方法还通过热胀冷缩来控制干法转移过程中的贴合速率以降低贴合过程中对材料造成的破坏，极大提高了利用多层异质结器件的成功率与器件质量。

本发明授权一种二维材料异质结器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料异质结器件的制备方法，其包括： I解离二维材料； II包埋电极至基底：将基底旋涂电子束光刻胶，烘烤，再用电子束光刻曝光出预先设计好的电极形状，显影液显影，再放入反应离子刻蚀机中刻蚀基底，然后蒸镀电极，最后去胶，获得包埋有电极的基底； III转移解离后的二维材料至包埋有电极的基底上：所述步骤III包括将解离后的二维材料转移至PDMS表面，将带有二维材料的PDMS靠近电极，加热使PDMS膨胀并与基底接触，关闭加热，冷却PDMS，移开PDMS；所述将带有二维材料的PDMS靠近电极为将带有二维材料的PDMS靠近电极至二维材料与电极的距离为10μm-500μm，或者为将所述带有二维材料的PDMS靠近至接触面出现干涉条纹；所述PDMS的厚度为500μm-2000μm；所述加热为加热至130℃-150℃；所述加热为以1℃秒-4℃秒的速度加热； IV取至少一种相同或不同的二维材料重复步骤I和III操作，形成多层异质结结构；得到二维材料异质结器件； 所述步骤I和II之间可以以任意顺序进行； 所述二维材料选自过渡金属硫族化合物、石墨烯、氮化硼、黑磷和三碘化铬中的至少一种； 所述过渡金属硫族化合物选自二硫化钼、二碲化钼、二碲化钨、二硒化钨、二硒化铌、硒化铟中的至少一种； 所述基底选自二氧化硅，表面含二氧化硅层的硅片、硅片、云母、蓝宝石或者柔性材料；所述柔性材料选自聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

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