福建省晋华集成电路有限公司黄鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210117816.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置的形成方法是由黄鑫;吴家伟设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置的形成方法，包含以下步骤。提供衬底，于衬底上形成多条位线，于衬底上形成多个触点并与位线交替且分隔地设置。于衬底上形成多个间隙壁结构，位在各位线以及各触点之间。进行沉积制作工艺，于衬底上形成导电层，填满相邻的间隙壁结构之间并覆盖位线上方，其中，导电层内包括多个气孔。进行离子注入制作工艺，形成多个掺杂区以分别填满气孔。透过离子注入制作工艺可诱使导电层内的原子重新排列，形成掺杂区以填补导电层内的气孔，藉此，可改善半导体装置中存储节点插塞的结构稳定性，进而优化装置效能。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成多条位线； 于所述衬底上形成多个触点，并与所述位线交替且分隔地设置； 于所述衬底上形成多个间隙壁结构，分别位于各所述位线的侧壁上并位在所述位线以及各所述触点之间； 进行沉积制作工艺，于所述衬底上形成导电层，填满相邻的所述间隙壁结构之间并覆盖所述位线上方，其中，所述导电层内包括多个气孔；以及 进行离子注入制作工艺，形成多个掺杂区以分别填满所述气孔； 于所述离子注入制作工艺前，进行回蚀刻制作工艺，部分移除所述导电层，形成触点；于所述回蚀刻制作工艺进行后，至少部分的所述气孔自所述触点的表面暴露出来； 部分的所述掺杂区部分暴露于所述触点的表面，部分的所述掺杂区完全埋设于所述触点内。
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