西安紫光国芯半导体有限公司李乾男获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种堆叠式芯片以及堆叠式芯片的检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210172154.3,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权一种堆叠式芯片以及堆叠式芯片的检测方法是由李乾男设计研发完成,并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种堆叠式芯片以及堆叠式芯片的检测方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种堆叠式芯片及堆叠式芯片的测试方法,堆叠式芯片包括:至少两个待测晶圆,至少两个待测晶圆包括:第一待测晶圆以及第二待测晶圆;第一待测晶圆与第二待测晶圆层叠设置,且通过连接层互连;布线层,布线层位于第一待测晶圆远离第二待测晶圆的一侧,布线层包括导电焊盘,第一待测晶圆连接导电焊盘,且第二待测晶圆通过连接层连接导电焊盘;比较单元,比较单元位于至少两个待测晶圆中其中一个待测晶圆上,用于将写入第一待测晶圆的第一数据与写入第二待测晶圆的第二数据进行比较,以确定连接层是否可靠;其中,第二数据是通过连接层写入第二待测晶圆的。其能够检测芯片之间的连接层是否可靠,并且不受焊盘数量的影响。
本发明授权一种堆叠式芯片以及堆叠式芯片的检测方法在权利要求书中公布了:1.一种堆叠式芯片,其特征在于,包括: 至少两个待测晶圆,所述至少两个待测晶圆包括:第一待测晶圆以及第二待测晶圆;所述第一待测晶圆与所述第二待测晶圆层叠设置,且通过连接层互连,所述连接层包括多个连接键; 布线层,所述布线层位于所述第一待测晶圆远离所述第二待测晶圆的一侧,所述布线层包括导电焊盘,所述第一待测晶圆连接所述导电焊盘,且所述第二待测晶圆通过所述连接键连接所述导电焊盘; 比较单元,所述比较单元位于所述至少两个待测晶圆中其中一个待测晶圆上,用于将写入所述第一待测晶圆的第一数据与写入所述第二待测晶圆的第二数据进行比较,以确定所述连接层是否可靠;其中,所述第一待测晶圆包括多个第一待测单元;所述第二待测晶圆包括多个第二待测单元;每一所述第二待测单元和每一所述第一待测单元通过所述多个连接键中一个所述连接键连接; 所述第二数据是从每一所述第一待测单元中读出的所述第一数据通过所述导电焊盘以及对应的所述连接键写入每一所述第二待测单元中的。
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