乐金显示有限公司金省求获国家专利权
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龙图腾网获悉乐金显示有限公司申请的专利薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664947B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111497781.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备是由金省求;金大焕设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备在说明书摘要公布了：公开一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管包括：有源层；有源层上的阻挡层；阻挡层上的栅极绝缘层；和栅极绝缘层上的栅极电极，其中栅极电极的至少一部分与有源层的至少一部分重叠，阻挡层包括氧化物半导体材料，阻挡层的电阻率大于有源层的电阻率，并且阻挡层的厚度小于有源层的厚度。
本发明授权薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括： 有源层，包括氧化物半导体材料； 所述有源层上的阻挡层； 所述阻挡层上的栅极绝缘层；和 所述栅极绝缘层上的栅极电极， 其中所述栅极电极的至少一部分与所述有源层的至少一部分重叠， 所述阻挡层包括氧化物半导体材料，所述阻挡层的电阻率大于所述有源层的电阻率，并且所述阻挡层的厚度小于所述有源层的厚度， 所述阻挡层的迁移率低于所述有源层的迁移率，并且所述阻挡层具有2cm2V·s或更小的迁移率， 所述阻挡层的载流子浓度低于所述有源层的载流子浓度， 所述阻挡层的氧原子浓度高于所述有源层的氧原子浓度， 所述阻挡层包括金属原子和氧原子，并且所述阻挡层中的氧原子数是所述阻挡层中的金属原子总数的1.2至2.5倍。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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