SKC索密思株式会社李亨周获国家专利权
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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模以及利用其的光掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111651440.X，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权空白掩模以及利用其的光掩模是由李亨周;金圭勋;柳智娟;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本空白掩模以及利用其的光掩模在说明书摘要公布了：本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩摸。实施例涉及空白掩模等，空白掩模包括：透明基板，相移膜，设置在所述透明基板上，以及遮光膜，设置在所述相移膜的至少一部分上。空白掩模利用正常模式的XRD进行分析。在正常模式的XRD分析中，在相移膜侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。在正常模式的XRD分析中，在透明基板侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。空白掩模的由以下式1表示的AI1值为0.9至1.1；[式1]在所述式1中，所述XM1为在对所述相移膜的上表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。所述XQ1为在对所述透明基板的下表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。
本发明授权空白掩模以及利用其的光掩模在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，其中，包括： 透明基板， 相移膜，设置在所述透明基板上，以及 遮光膜，设置在所述相移膜的至少一部分上； 所述空白掩模利用正常模式的XRD进行分析， 在所述正常模式的XRD分析中，在所述相移膜的上表面侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°， 在所述正常模式的XRD分析中，在所述透明基板的下表面侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°， 由以下式1表示的AI1值为0.98至1.02； [式1] 在所述式1中， 所述XM1为在对所述相移膜的上表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值， 所述XQ1为在对所述透明基板的下表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。
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