稳懋半导体股份有限公司陈禹钧获国家专利权
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龙图腾网获悉稳懋半导体股份有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111664211.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其形成方法是由陈禹钧;黄裕轩;张家达设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，所述垂直腔面发射激光器包括：基板、第一镜、主动层、氧化层、孔隙、第二镜、高对比度光栅、钝化层。第一镜，位于基板之上。主动层，位于第一镜之上。氧化层，位于主动层之上。孔隙，位于主动层之上，孔隙被氧化层包围。第二镜，位于孔隙及氧化层之上。高对比度光栅，位于第二镜之上，高对比度光栅包括第一光栅零件及第二光栅零件，且第一光栅零件及第二光栅零件彼此之间相隔空气间隙；以及钝化层，位于高对比度光栅之上，位于第一光栅零件的顶表面上的钝化层的第一厚度大于第一光栅零件的第一侧壁上的钝化层的第二厚度。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 一基板； 一第一镜，位于所述基板之上； 一主动层，位于所述第一镜之上； 一氧化层，位于所述主动层之上； 一孔隙，位于所述主动层之上，其中所述孔隙被所述氧化层包围； 一第二镜，位于所述孔隙及所述氧化层之上； 一高对比度光栅，位于所述第二镜之上，其中所述高对比度光栅包括一第一光栅零件及一第二光栅零件，且所述第一光栅零件及所述第二光栅零件彼此之间相隔一空气间隙；以及一钝化层，位于所述高对比度光栅之上，其中位于所述第一光栅零件的一顶表面上的所述钝化层的一第一厚度大于所述第一光栅零件的一第一侧壁上的所述钝化层的一第二厚度，所述第一光栅零件及所述第二光栅零件之间所述第二镜上的所述钝化层的一第三厚度小于所述第一厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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