北京航空航天大学孙世杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114705735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210535594.0，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器是由孙世杰;卢旭鹏;王颖;孙江涛;徐立军设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器，包括:外部结构、聚四氟乙烯管、辅助电介质、电容阵列传感器和信号引线；外部结构与电容阵列传感器固定连接，外部结构与电容阵列传感器之间连接有辅助电介质与信号引线；聚四氟乙烯管位于外部结构中，通过辅助电介质与外部结构和电容阵列传感器固定连接。本发明提供的传感器的耐压值可达4MPa，耐温值可达‑190℃。通过延长两端电极轴向长度，缩短中间层电极轴向长度，对三维多层电极阵列传感器进行优化，采用共形变换原理指导并选取不同层电极的轴向长度比例，使待测敏感场中心区域的灵敏度分布更加均匀，进而提高中心区域的轴向图像重建精度和分辨率。
本发明授权一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器在权利要求书中公布了：1.一种耐高压耐低温的三维电容阵列传感器，其特征在于，包括:外部结构、聚四氟乙烯管、辅助电介质、电容阵列传感器和信号引线； 所述外部结构与所述电容阵列传感器固定连接，所述外部结构与所述电容阵列传感器之间连接有所述辅助电介质与信号引线； 所述聚四氟乙烯管位于所述外部结构中，通过所述辅助电介质与所述外部结构和所述电容阵列传感器固定连接； 所述电容阵列传感器包括N层环形电极阵列，每层所述环形电极阵列包括M个电极； 不同层的所述环形电极阵列沿所述聚四氟乙烯管的外壁轴向依次排布，同层中所述M个电极沿所述聚四氟乙烯管的外壁周向等间距排布，构成三维N层环形电极阵列； 所述三维N层环形电极阵列中的电极轴向长度基于共形变换方式获得；包括： 将所述聚四氟乙烯管的纵截面视为第一复平面中的直线组，所述三维N层环形电极阵列中不同层电极视为所述直线组上的线段； 将所述直线组映射为第二复平面中的圆，则所述线段映射为所述圆上的圆弧，基于所述圆弧获取所述电极轴向长度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学，其通讯地址为：100089 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励