华灿光电(苏州)有限公司姚振获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210203517.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备是由姚振;从颖;龚逸品;李鹏设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备，属于外延制备技术领域。Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道。在固态的Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进p型GaN层的快速生长。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。
本发明授权提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备在权利要求书中公布了：1.一种提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述提高掺杂效率的外延片制备方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底上依次生长n型GaN层与发光层； 经过镁源管道向反应腔内通入Cp2Mg，同时通过辅助推动管道内向所述镁源管道通入辅助推动气体； 向所述反应腔通入Ga源、氨气与所述Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层，所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内，所述镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道，且在所述Cp2Mg经过所述镁源管道进入所述反应腔内的过程中，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入生长推动气体，所述生长推动气体为惰性气体，所述辅助推动气体的流量大于所述生长推动气体的流量，所述p型GaN层生长时所述Cp2Mg的流量为500~1500sccm。
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