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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有双面阶梯式表面的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006684.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权具有双面阶梯式表面的三维存储器器件及其制造方法是由水谷祐树;东谷政昭设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双面阶梯式表面的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：存储器裸片可以包括：位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替叠堆，以及竖直延伸穿过该交替叠堆的存储器堆叠结构。该交替叠堆内的第一层叠堆包括第一阶梯区域，其中第一导电层具有随着距该衬底的竖直距离而增加的相应横向范围，以提供第一阶梯式表面。该交替叠堆内的第二层堆叠包括第二阶梯区域，其中第二导电层具有随着距该衬底的该竖直距离而减小的相应横向范围，以提供第二阶梯式表面。该第二层堆叠可以比该第一层堆叠距该衬底更远。接触通孔结构可以由该交替叠堆的顶侧和底侧形成。

本发明授权具有双面阶梯式表面的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括存储器裸片的半导体结构，所述存储器裸片包括： 绝缘层和导电层的交替叠堆，所述交替叠堆定位在衬底上方；以及 存储器叠堆结构，所述存储器叠堆结构竖直延伸穿过所述交替叠堆， 其中： 所述交替叠堆包括第一层叠堆和第二层叠堆，所述第一层叠堆包括第一绝缘层和第一导电层，所述第二层叠堆包括第二绝缘层和第二导电层并通过第一层叠堆与所述衬底竖直间隔开； 所述第一层叠堆包括第一阶梯区域，其中所述第一导电层具有随着距所述衬底的竖直距离而增加的相应横向范围，以提供第一阶梯式表面； 所述第二层叠堆包括第二阶梯区域，其中所述第二导电层具有随着距所述衬底的所述竖直距离而减小的相应横向范围，以提供第二阶梯式表面； 直立阶梯式介电材料部分，所述直立阶梯式介电材料部分接触所述第一阶梯式表面并且具有随着距所述衬底的所述竖直距离而减小的第一可变水平横截面积； 后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分接触所述第二阶梯式表面，具有随着距所述衬底的所述竖直距离而增加的第二可变水平横截面积； 衬底侧接触通孔结构，所述衬底侧接触通孔结构竖直延伸穿过所述直立阶梯式介电材料部分并接触所述第一导电层中的相应第一导电层的近侧表面；以及 互连侧接触通孔结构，所述互连侧接触通孔结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分并接触所述第二导电层中的相应第二导电层的远侧表面； 其中： 所述衬底包括半导体材料层，所述半导体材料层具有与所述交替叠堆的近侧平坦表面接触的前表面和位于所述前表面的相反侧上的背侧表面； 所述存储器裸片包括位于所述交替叠堆的远侧平坦表面上的接触层级介电层； 所述衬底侧接触通孔结构的衬底侧端面位于包括所述直立阶梯式介电材料部分的平坦表面的水平平面内； 所述半导体材料层的背侧表面位于包括所述直立阶梯式介电材料部分的所述平坦表面的所述水平平面内；并且 所述直立阶梯式介电材料部分的侧壁接触所述半导体材料层。

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