国际商业机器公司A·雷茨尼采克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利与竖直传输场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080084126.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权与竖直传输场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器是由A·雷茨尼采克;K·巴拉克里希南;B·赫克玛特绍塔巴里;安藤崇志设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本与竖直传输场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器在说明书摘要公布了：一种半导体结构100可以包括：两个竖直传输场效应晶体管，该竖直传输场效应晶体管包括顶部源漏极124、底部源漏极106和外延沟道120；以及在两个竖直传输场效应晶体管之间的电阻式随机存取存储器，该电阻式随机存取存储器可以包括氧化物层144、顶部电极146和底部电极，其中，氧化物层144可以接触两个竖直场效应晶体管的顶部源漏极。顶部源漏极124可以用作电阻式随机存取存储器的底部电极。半导体结构100可以包括在两个竖直传输场效应晶体管之间的浅沟槽隔离136，该浅沟槽隔离136可以被嵌入在第一间隔物108、被掺杂的源极106、以及衬底102的一部分中。
本发明授权与竖直传输场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 两个竖直传输场效应晶体管，所述竖直传输场效应晶体管包括顶部源漏极、底部源漏极和外延沟道；以及 物理地设置在所述两个竖直传输场效应晶体管之间的电阻式随机存取存储器，所述电阻式随机存取存储器包括氧化物层、顶部电极和底部电极，其中，所述氧化物层接触所述两个竖直场效应晶体管的所述顶部源漏极。
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