北京北方华创微电子装备有限公司任攀获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体热处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210490587.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体热处理设备是由任攀设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体热处理设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体热处理设备，属于半导体工艺设备技术领域。该半导体热处理设备包括：腔室内管，腔室内管具有内周面；排气管，排气管与腔室内管连通；排气结构，排气结构设置于内周面，排气结构与腔室内管之间形成排气腔，排气腔与排气管相连通，排气结构上设置有排气口，排气口的总排气面积大于第一预设面积，以使腔室内管中的气体呈扩散状流入排气腔。上述方案能够解决半导体热处理设备易形成残留物、工艺腔室的压力较难在短时间内降低到目标值以及腔室内管的温度场不均匀的问题。
本发明授权半导体热处理设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括： 腔室内管100，所述腔室内管100具有内周面101； 排气管200，所述排气管200与所述腔室内管100连通； 排气结构300，所述排气结构300设置于所述内周面101，所述排气结构300与所述腔室内管100之间形成排气腔400，所述排气腔400与所述排气管200相连通，所述排气结构300上设置有排气口，所述排气口的总排气面积大于第一预设面积，以使所述腔室内管100中的气体呈扩散状流入所述排气腔400； 所述腔室内管100中设有晶舟800，所述排气结构300包括第一排气部310，所述第一排气部310为弧形结构且环绕所述晶舟800设置，所述第一排气部310间隔设置多个第一排气口311； 所述排气结构300还包括第二排气部320，所述第一排气部310通过所述第二排气部320与所述腔室内管100相连，所述第二排气部320设有第二排气口321。
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