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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210339952.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备是由曾健忠设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备在说明书摘要公布了：一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括纳米片堆叠部以及栅极结构；纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；纳米片层还包括位于第三半导体类型区的凹角位置的第五半导体类型区；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；第五半导体类型区和第三半导体类型区分别为N型区和P型区；提高了纳米片功率器件的反向耐压能力。

本发明授权纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备在权利要求书中公布了：1.一种纳米片功率器件的结构，其特征在于，包括纳米片堆叠部以及栅极结构； 所述纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在所述纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且所述第二半导体类型区位于所述H型的横线位置的中间；所述纳米片层还包括第五半导体类型区，所述第五半导体类型区位于所述第三半导体类型区的凹角位置； 在垂直方向上与所述第二半导体类型区重叠的所述牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕所述第二半导体类型区设置所述栅极结构； 其中，所述第一半导体类型区为高掺杂第一N型区，所述第二半导体类型区为高掺杂第一P型区，所述第三半导体类型区为低掺杂第一N型区，所述第四半导体类型区为高掺杂第二P型区，所述第五半导体类型区为高掺杂第三P型区；或者 所述第一半导体类型区为第三N型区，所述第二半导体类型区为第四P型区，所述第三半导体类型区为第四N型区，所述第四半导体类型区为第五N型区，所述第五半导体类型区为第五P型区；或者 所述第一半导体类型区为第六P型区，所述第二半导体类型区为第六N型区，所述第三半导体类型区为第七P型区，所述第四半导体类型区为第八P型区，所述第五半导体类型区为第七N型区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰五路88号3栋42楼1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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