厦门乾照光电股份有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210690408.0，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法是由刘伟;刘英策;邬新根;王锐;林锋杰;崔恒平;蔡建九设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻胶的图形呈上窄下宽后，再结合所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1的设置，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成倾斜度较小的预设图形。
本发明授权一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括半导体材料层； 对所述待刻蚀结构进行刻蚀形成预设图形，所述刻蚀过程包括： 在所述待刻蚀结构的表面形成刻蚀增强层，且所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1； 在所述刻蚀增强层表面形成敏感型负性光刻胶，进行曝光、显影形成具有倒梯形的光刻胶掩膜板后；通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使所述负性光刻胶的图形呈上窄下宽； 通过刻蚀、去胶工艺，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成比所述掩膜板倾斜度更小的倒梯形图形。
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