中国电子科技集团公司第十三研究所王元刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210493854.2，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种光刻方法是由王元刚;吕元杰;郭红雨;卜爱民;徐森锋;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光刻方法。该方法包括：清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在其表面沉积生长介质；光刻和蒸镀金属：在生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在曝光图形表面蒸镀金属薄膜，去除光刻胶，形成金属掩膜图形；重复执行N次光刻和蒸镀金属操作；其中，N≧2，且N次光刻和蒸镀金属操作过程中采用至少两种光刻版，且与光刻版对应的光刻图形间存在重合区域，该区域的形状尺寸由介质刻蚀的目标形状尺寸确定；刻蚀和去除金属：以金属薄膜为掩膜，刻蚀生长介质，去除金属薄膜，形成介质刻蚀图形。本发明利用多次错位光刻与蒸镀金属掩膜结合，突破现有光刻机的线宽限制，获得小尺寸线宽图形。
本发明授权一种光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻方法，其特征在于，包括： 清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在所述半导体衬底表面沉积生长介质； 光刻和蒸镀金属：在所述生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对所述生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在所述曝光图形表面蒸镀金属薄膜，去除光刻胶，形成金属掩膜图形； 重复执行N次光刻和蒸镀金属操作；其中，N≥2，且N次光刻和蒸镀金属操作过程中采用至少两种光刻版，所述至少两种光刻版对应的光刻图形之间存在重合区域，所述重合区域的形状尺寸由介质刻蚀的目标形状尺寸确定； 刻蚀和去除金属：以所述金属掩膜图形表面的金属薄膜为掩膜，刻蚀所述生长介质，去除所述金属薄膜，形成介质刻蚀图形； 所述介质刻蚀图形的形状尺寸即为所述重合区域的形状尺寸。
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