国家纳米科学中心韩宝航获国家专利权
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龙图腾网获悉国家纳米科学中心申请的专利一种多孔聚合物膜、电阻式存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564322.3，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种多孔聚合物膜、电阻式存储器件及其制备方法是由韩宝航;陶友;刘辉;孙连峰设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔聚合物膜、电阻式存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多孔聚合物膜、电阻式存储器件及其制备方法。所述多孔聚合物膜的制备原料包括如下组分：具有氧化活性的有机单体、电解质和有机溶剂，所述具有氧化活性的有机单体的摩尔浓度为0.005～1molL；所述电阻式存储器件包括依次叠加设置的顶电极、多孔聚合物膜和工作电极。本发明提供的多孔聚合物膜具有较好的均匀性、较高的孔隙率且厚度可控，且满足了在无需转移多孔聚合物膜的情况下，直接制备得到电子器件的要求。
本发明授权一种多孔聚合物膜、电阻式存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于电子器件的多孔聚合物膜，其特征在于，所述多孔聚合物膜的制备原料包括如下组分： 具有氧化活性的有机单体、电解质和有机溶剂； 所述多孔聚合物膜的制备原料中具有氧化活性的有机单体的摩尔浓度为0.005～1molL； 所述具有氧化活性的有机单体具有双咔唑基团。
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