西安电子科技大学郑雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210865434.2，技术领域涉及：H10D8/70；该发明授权基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法是由郑雪峰;洪悦华;潘嫒灵;何云龙;张翔宇;苑子健;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于p型氧化镍‑氮化硅绝缘层‑n型氧化镓结构的二极管及制备方法，主要解决现有肖特基二极管正向电流密度及反向击穿电压面向大功率下的应用效果差的问题。其由下至上包括阴极欧姆金属层、重掺杂氧化镓衬底、轻掺杂外延层氧化镓和阳极金属，其中，轻掺杂外延层氧化镓与阳极金属之间增设有氮化硅绝缘薄层及p型氧化镍层。通过该氮化硅绝缘薄层和p型氧化镍层，改变n型氧化镓与p型氧化镍之间的能带结构，使n型氧化镓与p型氧化镍之间产生较大的隧穿电流，增大器件正向电流密度及反向击穿电压。实测表明，本发明器件的正向电流密度提高了616％，反向击穿电压提高了102％，可用于大电流密度及高击穿电压的大功率工作环境。
本发明授权基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管，其由下至上包括阴极欧姆金属层1、重掺杂氧化镓衬底2、轻掺杂外延层氧化镓3和阳极金属6，其特征在于，轻掺杂外延层氧化镓3与阳极金属6之间增设有氮化硅绝缘薄层4及p型氧化镍层5，且氮化硅绝缘薄层4位于轻掺杂外延层氧化镓3和p型氧化镍层5之间，以增大正向电流密度及反向击穿电压。
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