西安电子科技大学郑雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864505.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管及制备方法是由郑雪峰;洪悦华;张翔宇;何云龙;苑子健;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度结构的氧化镓Pn二极管及制备方法，主要解决现有技术在提高器件反向击穿电压的同时严重增大器件的正向导通电阻和功耗的问题。其自下而上，包括：阴极欧姆金属1、氧化镓衬底2、氧化镓漂移层3、P型半导体层4、高掺杂浓度P型半导体层5和阳极6，其中，P型半导体层由多种不同掺杂浓度的半导体材料按其自中心至四周掺杂浓度渐变增大的顺序依次在氧化镓漂移层上沉积形成，以降低氧化镓漂移层边缘和P型半导体层内部的峰值电场，同时形成良好欧姆接触，实现器件在提升反向击穿电压的同时降低器件的导通电阻，本发明提高了氧化镓器件的巴利加优值，可用于电子系统。
本发明授权基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管，自下而上，包括：阴极欧姆金属1、氧化镓衬底2、氧化镓漂移层3、P型半导体层4、高掺杂浓度P型半导体层5和阳极金属6；其特征在于，所述P型半导体层4采用由多圈不同掺杂浓度的半导体材料按其掺杂浓度从低到高的顺序依次从中心至四周渐变沉积形成的渐变掺杂P型半导体层，以在提升器件反向击穿电压的同时降低器件导通电阻，提高氧化镓器件的巴利加优值。
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