联嘉光电股份有限公司陈复邦获国家专利权
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龙图腾网获悉联嘉光电股份有限公司申请的专利具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115148876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110352097.2,技术领域涉及:H10H20/831;该发明授权具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构是由陈复邦;黄国欣设计研发完成,并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构在说明书摘要公布了:一种具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构,其包含一具有一中央区与一侧边区的导电基板;一发光半导体层设置于该中央区上;一欧姆接触金属层设置于该发光半导体层的中心处;一N型电极则设置于该侧边区,并透过一N型电极跨接结构连接该欧姆接触金属层与该N型电极;据此一工作电流为由该发光半导体层的中心处开始扩散而具有高电流分散性,而能够解决该N型电极置放于边缘设计所产生的局部高电流的散热问题,又供打线的该N型电极设置于该侧边区的设计,可避免该N型电极置中造成的封装体金导线干扰,同时该发光半导体层没有受到应力破坏而脆裂的问题,后续制程也没有打线牵扯而造成该发光半导体层裂痕或分离的风险而可增加信赖度。
本发明授权具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构在权利要求书中公布了:1.一种具高电流分散性且高信赖度的垂直式发光二极管结构,其特征在于,包含: 一P型电极; 一导电基板,该导电基板的一侧设置该P型电极,而该导电基板的另一侧具有一中央区与一相邻该中央区的侧边区; 一发光半导体层,该发光半导体层设置于该导电基板的该中央区上,且该发光半导体层包含设置于该导电基板上的一P型半导体层、一设置于该P型半导体层上的量子井层与一设置于该量子井层上的N型半导体层; 一欧姆接触金属层,该欧姆接触金属层设置于该N型半导体层的中心处且欧姆接触该N型半导体层; 一N型电极跨接结构,该N型电极跨接结构具有一跨接绝缘层与一跨接导电层,该跨接绝缘层横跨设置于该N型半导体层与该导电基板的该侧边区上,且该跨接绝缘层紧邻该欧姆接触金属层,而该跨接导电层设置于该跨接绝缘层上,且该跨接导电层一端连接该欧姆接触金属层,该跨接导电层另一端延伸至该导电基板的该侧边区; 一N型电极,该N型电极设置于该跨接导电层上且位于该侧边区的上方;以及 一辅助P型电极,该辅助P型电极设置于该导电基板的该侧边区上。
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