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龙图腾网获悉苏州华星光电技术有限公司申请的专利一种半导体器件制造方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210796209.8，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体器件制造方法及装置是由杨阳设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件制造方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件制造方法及装置。半导体器件制造方法包括：提供待刻蚀的半导体器件材料，将半导体器件材料置于反应腔内，半导体器件材料形成有预处理沟道区；将半导体器件材料进行预刻蚀处理，清除预处理沟道区中的杂质，得到预刻蚀半导体器件；将预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理，得到主刻蚀半导体器件，主半导体器件中形成有主刻蚀沟道区；将主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理，清除主刻蚀沟道区中的杂质，得到刻蚀后的半导体器件。本发明对半导体器件进行预刻蚀处理、主刻蚀处理及后刻蚀处理，通过这三次刻蚀处理，可以清除半导体器件沟道区内的杂质，改善刻蚀选择比，以提高制程洁净度和刻蚀均匀性，最终提升半导体器件的电学性能。

本发明授权一种半导体器件制造方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀的半导体器件材料，将所述半导体器件材料置于反应腔内，所述半导体器件材料形成有预处理沟道区； 将所述半导体器件材料进行预刻蚀处理，清除所述预处理沟道区中的杂质，得到预刻蚀半导体器件； 将所述预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理，得到所述主刻蚀半导体器件，所述主刻蚀半导体器件中形成有主刻蚀沟道区； 将所述主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理，清除所述主刻蚀沟道区中的杂质，得到刻蚀后的半导体器件； 在所述将所述半导体器件材料进行预刻蚀处理的步骤之前，还包括： 将与所述反应腔相连的源射频电源和偏压射频电源的功率都调整为0； 根据第一设定参数，向所述反应腔内通入第一刻蚀气体，使所述反应腔内的气压和所述第一刻蚀气体的流量，均与所述第一设定参数相匹配； 所述第一设定参数包括第一刻蚀气体成分、第一气压值及第一流量值，所述第一刻蚀气体成分为氟基气体和氧气，所述第一气压值为40~90mTorr，所述第一流量值包括氟基气体流量值和氧气流量值，所述氟基气体流量值为300~1000sccm，所述氧气流量值大于或等于5000sccm。

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