北京北方华创微电子装备有限公司王一帆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210899170.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法是由王一帆;郑健飞设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法，涉及半导体领域。一种等离子体生成装置包括：第一电极、第二电极和附加电极；第一电极、第二电极和附加电极均设置于工艺腔室内，第一电极与第二电极相互间隔设置，附加电极设置于第一电极，且两者之间相互绝缘，附加电极用于与第一射频电源连接，第二电极用于与第二射频电源和第三射频电源分别连接，且第二电极用于承载晶圆。一种半导体工艺设备包括上述等离子体生成装置。一种晶圆处理方法，应用于上述半导体工艺设备。本申请能够解决由于等离子鞘层发生变形导致刻蚀形貌产生明显倾斜等问题。
本发明授权等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体生成装置100，应用于半导体工艺设备的工艺腔室300，其特征在于，所述等离子体生成装置100包括：第一电极110、第二电极120和附加电极130； 所述第一电极110、所述第二电极120和附加电极130均设置于所述工艺腔室300内，所述第一电极110与所述第二电极120相互间隔设置，使得所述第一电极110与所述第二电极120形成平板电容器，所述附加电极130设置于所述第一电极110，且两者之间相互绝缘，所述附加电极130用于与第一射频电源210连接，所述第二电极120用于与第二射频电源220和第三射频电源230分别连接，且所述第二电极120用于承载晶圆。
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