普列斯半导体有限公司S·梅佐阿里获国家专利权
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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利微型LED设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115210886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180018295.3,技术领域涉及:H10H20/819;该发明授权微型LED设备是由S·梅佐阿里设计研发完成,并于2021-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型LED设备在说明书摘要公布了:提供了一种具有提高的发射效率和准直的微型LED。所述微型LED100包括台面基板110,其包括凹部;半导体材料120,其设置在所述凹部中,包括与所述台面基板相邻的第一表面121、与所述第一表面相对的第二表面122以及被配置为响应于电流的施加而发光的发光区域126。所述第二表面包括凸面127。如果相对于所述凸面的法线的入射角小于临界角,则由所述发光区域发射的入射到所述凸面上的光透射通过所述凸面,并且在透射通过所述凸面时折射。所述发光区域126位于所述凸面127的焦平面附近。所述发光区域的面积小于所述凸面在平行于所述发光区域的平面中的横截面面积。
本发明授权微型LED设备在权利要求书中公布了:1.一种微型LED,其特征在于,包括: 台面基板,其包括凹部; 半导体材料,其设置在所述凹部中,包括与所述台面基板相邻的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,以及被配置为响应于电流的施加而发光的发光区域; 其中所述第二表面包括凸面; 其中如果相对于所述凸面的法线的入射角小于临界角,则由所述发光区域发射的入射到所述凸面上的光透射通过所述凸面,并且在透射通过所述凸面时折射; 其中所述发光区域位于所述凸面的焦平面附近,使得从所述发光区域到所述凸面的焦平面的距离小于所述凸面的焦距的35%; 其中所述发光区域的面积小于所述凸面在平行于所述发光区域的平面中的横截面面积。
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