SKC索密思株式会社李乾坤获国家专利权
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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433715.0，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法是由李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;申仁均设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：实施例涉及光掩模坯、光掩模、半导体器件的制造方法等，提供光掩模坯等，上述光掩模坯包括：透光基板，以及多层的遮光膜，配置于上述透光基板上；上述遮光膜包括：第一遮光层，具有第一硬度，以及第二遮光层，具有第二硬度；上述第一遮光层配置成比上述第二遮光层更接近上述透光基板，上述第一硬度为大于上述第二硬度的值。实施例的光掩模坯、光掩模等具有提高的耐缺陷性能，在半导体器件的制造方法中，通过高的精密度进一步减少缺陷的产生。
本发明授权光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光掩模坯，其特征在于， 包括： 透光基板，以及 多层的遮光膜，位于上述透光基板上； 上述遮光膜包括： 第一遮光层，具有第一硬度，以及 第二遮光层，具有第二硬度； 上述第一遮光层配置成比上述第二遮光层更接近上述透光基板， 上述第一硬度的值大于上述第二硬度的值， 上述第二硬度为上述第一硬度的0.15倍至0.55倍。
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