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昕原半导体(上海)有限公司刘业帆获国家专利权

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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115273937B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210702584.1,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法是由刘业帆;周煜梁设计研发完成,并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列,存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻的多条字线上;存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上,且以2n条字线为间隔;每个1T1R阻变式存储单元包括晶体管‑阻变存储器;阻变存储器包括电阻,电阻与所述晶体管相连接,字线与晶体管的栅端相连接,用于传输输入信号;源线与1T1R阻变式存储单元,且用于为电阻施加电压,以在位线上形成偏置电流,ADC模块与位线相连接,ADC模块用于对位线中的偏置电流进行转换以形成数字MAC运算结果,如此,有足够的空间配置更高精度的ADC模块的同时,使用高精度ADC模块可以实现对面积和功耗更好的优化。

本发明授权基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法在权利要求书中公布了:1.一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列,包括1T1R阻变式存储单元、字线、源线、位线、ADC模块,其特征在于, 存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻的多条字线上; 存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上,且以2n条字线为间隔;其中,n为正整数; 每个1T1R阻变式存储单元包括晶体管-阻变存储器; 所述阻变存储器包括电阻,所述电阻与所述晶体管相连接,且所述电阻可高可低; 所述字线与所述晶体管的栅端相连接,所述字线被译码器控制,所述字线用于传输输入信号; 所述源线与所述1T1R阻变式存储单元相连接,且所述源线用于为所述电阻施加电压,以在所述位线上形成偏置电流; 所述ADC模块与所述位线相连接,所述ADC模块用于对所述位线中的偏置电流进行转换以形成数字MAC运算结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昕原半导体(上海)有限公司,其通讯地址为:201315 上海市浦东新区(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号13幢304室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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